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GENERIS PVD

GENERIS PVD 在线溅射设备

GENERIS 特征

  • 溅射材料:TCOs、 ITO, AZO, NiO, TiO2, SiN等反应溅射层以及Ag, Cu, Cr, Mo, Ni等金属层
  • 典型应用包括减反射层、阻挡层、 电接触层和绝缘层
  • 根据产能需求可选不同的设备版本, 如实验室设备、中试线或批量生产
  • 硅片尺寸:G12或半片
  • 基材厚度可低至60 μm
  • 标准生产节拍:每个承载器40 – 75秒
  • 通过承载盘并行处理基材
    (如显示面板、玻璃、硅片)
  • 高速自动化装卸承载盘(单面或双面) » 无需破真空即可配置自上而下和自下而
    上–双面溅射
  • 全面的基板温度控制
  • 低运营成本和高稼动率
  • 集成多项专利,如快速排气系统和承载器 » 旋转式圆柱形磁电管
  • 靶材高利用率
  • 承载器传送系统在GENERIS PVD设备下方 » 真空底压:‹ 1 x 10-6 mbar

德国新格拉斯科技集团为太阳能行业提供水平基板 传输的GENERIS PVD高产量在线溅射设备平台。 该设备专为HJT太阳能电池生产的特定要求而设 计。对于复杂的透明导电氧化物层(TCO), 例如ITO(氧化铟锡)和AZO(掺铝氧化锌), GENERIS PVD能极大地满足异质结电池技术的关 键要求。太阳能电池在GENERIS PVD的工艺腔体 中在线自动传送,进行双面镀膜处理。溅射设备可 确保较高的膜厚均匀性,具有较高的膜层重复性、 高生产率,同时降低了运营成本(OPEX)。

最新的GENERIS PVD设备适用于HJT电池生产,每 小时出片量最高可达8,000片G12硅片。由于设备占 地面积较小,对建筑和洁净室空间的要求也更低,能进一步节省成本。此外,RPD设备只能提供自下 而上的单面工艺,需要翻转硅片,产生额外不必要 的硅片处理工序。相比之下,GENERIS PVD采用双 面工艺,硅片处理工序较少,能有效减少硅片的破 碎和沾污。集团研发中心能自主开发磁控管等设备 关键部件,并使用最先进的实验室设备模拟不同溅 射过程以持续优化设备内部的组件和相关工艺。新 开发的工艺可以直接用于GENERIS PVD量产平台。

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